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本晶片是帶2個24位ADC的SOC產品，程序存儲器為20k Bytes OTP，超低功耗設計，使用內部RC振盪器或外部晶體振盪器工作，3.3V工作電壓下，典型應用時的工作電流CPR關閉時2.0mA，CPR打開時3.0mA。
外圍資源豐富：可選的多種穩壓電源輸出，靈活設置的ADC模塊，升壓模塊，UART，帶有CAPTURE功能的TIMER， PWM和PFD輸出模塊，LCD驅動等。
本產品的OTP可以低壓自燒錄，燒錄電壓範圍：2.4~3.6V，OTP可以替代EERPOM使用。
MCU提供三種工作模式讓用戶可以在工作效率和能量消耗方面得到最佳選擇，三種模式是：正常工作模式、待機模式、休眠模式。
高精度ADC，可實現6000分度或以上測量
交流真有效值輸出，1kHz帶寬處誤差不超過0.5%
晶片內置分壓電阻，無需外部電阻分壓
可編程多功能測量網絡，支持電壓，電流，電阻，二極管，三極管，通斷，溫度， 電容，頻率等測量
內置charge pump，可測試3V二極管
多功能比較器，具有latch功能
8位RISC超低功耗MCU，49條指令，6級堆棧，在2MHz工作時鐘，MCU部分在3.3V工作電 壓下電流典型值為400μA；32kHz時鐘待機模式下工作電流1.5μA，休眠模式電流小於1μA
20k Bytes OTP程序存儲器，512 Bytes SRAM 數據存儲器
24bit計數器TMRA、TMRB和TMRC，用於頻率或占空比測量
低壓燒錄功能，可以替代外部EEPROM
靈活的電池檢測功能，檢測範圍2.0~3.3V
豐富的外圍資源：UART，PWM，PFD，BUZ，TIMER
帶LCD驅動模塊，最多可支持42SEG×4COM、41SEG×5COM、40SEG×6COM、 38SEG×8COM液晶驅動電路，超低功耗和大驅動能力設計；內含程控升壓模塊， 可以在低壓條件下維持高亮顯示，支持灰度調節
所有I/O帶施密特觸發輸入及可選上拉電阻
掉電檢測電路和上電復位電路
工作電壓範圍：2.4~3.6V
工作溫度範圍：-40~85℃
內部8MHz與32kHz RC振盪器
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