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本系列晶片是由CMOS工藝集成的PIR（Passive Infra-Red）控制器晶片，功耗很低，採用PIR人體熱釋紅外線探測技術方案，內置高精度算法單元，可自調整適應當前環境，濾出環境干擾，有效提取人體信號，最遠感應距離高達十幾米。 實際應用電路相當簡單，研發和生產無需調試，大幅度降低生產成本，並且節省空間。
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參數表

型號

工作電壓

工作電流

功能

OTP

SRAM

ADC ENOB

輸出延時設置

外設

應用領域

封裝

  • 2.4~3.6V

    500μA

    帶 PWM 輸出多路PIR 應用 SOC

    4k Bytes

    256 Bytes

    20.6bits@250sps，Gain = 1

    --

    PWM

    PIR和NCV等

    SOP14

  • 2.4~3.6V

    500μA

    帶 PWM 輸出與高精度 ADC 的 SOC

    4k Bytes

    256 Bytes

    20.6bits@250sps，Gain = 1

    --

    PWM

    PIR和NCV等

    SOP8

  • 2.8~3.6V

    400μA

    熱釋電紅外感應晶片

    --

    --

    --

    1~600秒

    --

    --

    SOP8

產
品
目
錄

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