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    SD8016B

    工作電壓

    2.4~3.6V

    2.4~3.6V

    工作電流

    1.5mA

    1.5mA

    ADC ENOB

    18.7bits@8sps
    Gain = 128

    18.7bits@8sps
    Gain = 128

    外設

    DAC、RTC、UART、PWM

    DAC、RTC、UART、PWM

    封裝

    裸片

    裸片
    晶片描述

            本晶片是帶 24 ADC SoC 產品, 程序存儲器為 16k Bytes OTP, 超低功耗設計,使用內部 RC振盪器的 4 分頻工作, 3V 工作電壓下,典型應用時的工作電流只有 1.5mA

            外圍資源豐富: RTCUART,可選的多種穩壓電源輸出,靈活設置的 PGIA 模塊,升壓模塊, 帶有 CAPTURE 功能的 TIMERPWM PFD 輸出模塊, LCD 驅動等。

            本產品帶 16k Bytes OTP, 可以低壓自燒錄, 燒錄電壓範圍: 2.4~3.6VOTP 可以替代 EEPROM使用。MCU 提供三種工作模式讓用戶可以在工作效率和能量消耗方面得到最佳選擇,三種模式是:正常工作模式、待機模式、休眠模式。

    晶片特點
    • 高精度 ADC, ENOB=18.7bits@8sps, 4 個差分通道或 8 個單端通道

    • 低噪聲高輸入阻抗前置放大器, 1、 4、 8、 16、 32、64、 128、 256 倍增益可選

    • 8 位 RISC 超低功耗 MCU, 49 條指令, 6 級堆棧,在 2MHz 工作時鐘, MCU 部 分在 3V 工作電壓下電流典型值為 400μA; 32kHz 時鐘待機模式下工作電流 1.5μA, 休眠模式電流小於 1μA

    • 16k Bytes OTP 程序存儲器, 512 Bytes SRAM 數據存儲器

    • 低壓燒錄功能,可以替代外部 EEPROM

    • 靈活的電池檢測功能,檢測範圍 2.0~3.3V

    • RTC 模塊,可以計算年、月、 星期、 日、時、分、秒,可以自動進行閏年計算

    • 豐富的外圍資源: UART, PWM, PDM, PFD,CAPTURE, TIMER,紅外載波發生器

    • 最大 40SEG×4COM、 39SEG×5COM、 38SEG×6COM、 36SEG×8COM 液晶驅動 電路,超低功耗和大驅動能力設計;內含程控升壓模塊,可以在低壓條件下維持高亮顯 示, 支持灰度調節

    • 8bits DAC

    • 所有 I/O 帶施密特觸發輸入及選擇上拉電阻

    • 掉電檢測電路和上電復位電路

    • 工作電壓範圍: 2.4~3.6V

    • 工作溫度範圍: -40~85℃

    • 內部 8MHz 與 32kHz RC 振盪器

    晶片框圖
    應用領域

    紅外測溫槍

    耳溫槍

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